PcoreTM2 E2B 全碳化硅半桥MOSFET模块BMF240R12E2G3 BMF240R12E2C4-倾佳电子（Changer Tech）专业分销
基本™（BASiC Semiconductor）SOT227碳化硅MOSFET模块B2M012120N
适用于液冷充电桩电源的基本™（BASiC Semiconductor）SiC碳化硅MOSFET模块-倾佳电子（Changer Tech）专业分销
适用于三相三电平维也纳PFC的基本™（BASiC Semiconductor）SiC碳化硅MOSFET模块-倾佳电子（Changer Tech）专业分销
倾佳电子（Changer Tech）致力于国产碳化硅（SiC）MOSFET功率器件在电力电子市场的推广！Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!
国产SiC碳化硅MOSFET功率器件可靠性及一致性如何确保？
电力电子系统研发制造商一般需要碳化硅MOSFET功率器件供应商提供可靠性测试报告的原始数据和器件封装的FT数据。
SiC碳化硅MOSFET可靠性报告原始数据主要来自以下可靠性测试环节的测试前后的数据对比，通过对齐可靠性报告原始数据测试前后漂移量的对比，从而反映器件的可靠性控制标准及真实的可靠性裕量。SiC碳化硅MOSFET可靠性报告原始数据主要包括以下数据:
SiC碳化硅MOSFET高温反偏 High Temperature Reverse Bias HTRB Tj=175℃ VDS=100%BV
SiC碳化硅MOSFET高温栅偏（正压） High Temperature Gate Bias（+） HTGB（+） Tj=175℃ VGS=22V
SiC碳化硅MOSFET高温栅偏（负压） High Temperature Gate Bias（-） HTGB（-） Tj=175℃ VGS=-8V
SiC碳化硅MOSFET高压高湿高温反偏 High Voltage, High Humidity, High Temp. Reverse Bias HV-H3TRB Ta=85℃ RH=85% VDS=80%BV
SiC碳化硅MOSFET高压蒸煮 Autoclave AC Ta=121℃ RH=100% 15psig
SiC碳化硅MOSFET温度循环 Temperature Cycling TC -55℃ to 150℃
SiC碳化硅MOSFET间歇工作寿命 Intermittent Operational Life IOL △Tj≥100℃ Ton=2min Toff=2min
FT数据来自碳化硅MOSFET功率器件FT测试(Final Test，也称为FT)是对已制造完成的碳化硅MOSFET功率器件进行结构及电气功能确认，以保证碳化硅MOSFET功率器件符合系统的需求。
通过分析碳化硅MOSFET功率器件FT数据的关键数据（比如V(BR)DSS，VGS(th)，RDS(on)，
IDSS）的正态分布，可以定性碳化硅MOSFET功率器件材料及制程的稳定性，这些数据的定性对电力电子系统设计及大批量制造的稳定性也非常关键。
碳化硅（SiC）功率模块在工业市场有许多应用。这些模块通常用于提高电能转换和控制系统的效率，同时在高温和高频率环境下表现良好。以下是碳化硅功率模块在工业市场中的一些主要应用：
电机驱动和控制： 碳化硅功率模块可用于工业电机驱动系统，提供高效率和高功率密度，降低能源损耗。
电源和逆变器： 在工业设备中，SiC功率模块可用于设计高效率的电源和逆变器，适用于工业自动化、机床和其他高功率应用。
可再生能源系统： 碳化硅功率模块在太阳能逆变器和风力发电系统中得到广泛应用，提高了能源转换效率。
焊接设备： 在工业焊接系统中，SiC功率模块可以提供更高的功率密度、更高的频率响应和更高的效率。
电力传输与分配： SiC功率模块可用于电力输配系统，提供高效的电力转换和分配。
电气化交通： 在高速列车和电动汽车中，碳化硅功率模块可以提供更高的功率密度，减轻设备重量，提高系统效率。
工业加热系统： 在高温加热系统中，SiC功率模块可以提供更高的温度稳定性和更高的效率。
这些应用表明碳化硅功率模块在工业环境中能够提供更高效、更可靠的解决方案，有助于提高系统性能并减少能源消耗。
BASiC基本™（BASiC Semiconductor）第二代SiC碳化硅MOSFET两大主要特色：
1.出类拔萃的可靠性：相对竞品较为充足的设计余量来确保大规模制造时的器件可靠性。
BASiC基本™（BASiC Semiconductor）第二代SiC碳化硅MOSFET 1200V系列击穿电压BV值实测在1700V左右，高于市面主流竞品，击穿电压BV设计余量可以抵御碳化硅衬底外延材料及晶圆流片制程的摆动，能够确保大批量制造时的器件可靠性，这是BASiC基本™（BASiC Semiconductor）第二代SiC碳化硅MOSFET最关键的品质. BASiC基本™（BASiC Semiconductor）第二代SiC碳化硅MOSFET雪崩耐量裕量相对较高，也增强了在电力电子系统应用中的可靠性。
2.可圈可点的器件性能：同规格较小的Crss带来出色的开关性能。
BASiC基本™（BASiC Semiconductor）第二代SiC碳化硅MOSFET反向传输电容Crss 在市面主流竞品中是比较小的，带来关断损耗Eoff也是市面主流产品中非常出色的，优于部分海外竞品，特别适用于LLC应用，典型应用如充电桩电源模块后级DC-DC应用。
Ciss：输入电容（Ciss＝Cgd＋Cgs） ⇒栅极-漏极和栅极-源极电容之和：它影响延迟时间；Ciss越大，延迟时间越长。BASiC基本™（BASiC Semiconductor）第二代SiC碳化硅MOSFET 优于主流竞品。
Crss：反向传输电容（Crss＝Cgd） ⇒栅极-漏极电容：Crss越小，漏极电流上升特性越好，这有利于MOSFET的损耗，在开关过程中对切换时间起决定作用，高速驱动需要低Crss。
Coss：输出电容（Coss＝Cgd＋Cds）⇒栅极-漏极和漏极-源极电容之和：它影响关断特性和轻载时的损耗。如果Coss较大，关断dv／dt减小，这有利于噪声。但轻载时的损耗增加。
基本™（BASiC Semiconductor）B2M第二代碳化硅MOSFET器件主要特色：
• 比导通电阻降低40%左右
• Qg降低了60%左右
• 开关损耗降低了约30%
• 降低Coss参数，更适合软开关
• 降低Crss，及提高Ciss/Crss比值,降低器件在串扰行为下误导通风险
• 最大工作结温175℃• HTRB、 HTGB+、 HTGB-可靠性按结温Tj=175℃通过测试
• 优化栅氧工艺，提高可靠性
• 高可靠性钝化工艺
• 优化终端环设计，降低高温漏电流
• AEC-Q101
基本™（BASiC Semiconductor）推出工业级全碳化硅MOSFET功率模块Pcore™2 E2B，BMF240R12E2G3基于高性能 6英寸晶圆平台设计，在比导通电阻、开关损耗、抗误导通、抗双极性退化等方面表现出色。
BMF240R12E2G3 BMF240R12E2C4可以替代英飞凌FF4MR12W2M1H_B70，FF6MR12W2M1HP_B11，FF6MR12W2M1H_B11，安森美NXH006P120MNF2，wolfspeed的CAB006A12GM3T，CAB006M12GM3T，CAB006M12GM3，CAB006A12GM3。
产品优势
- 更稳定导通电阻
新型内部构造极大抑制了碳化硅晶体缺陷引起的Rds(on)波动。
- 更优异抗噪特性
宽栅-源电压范围（Vgss: -10V~+25V），及更高阈值电压范围（Vth: 3V~5V），便于栅极驱动设计。
- 更高可靠性
高性能氮化硅AMB陶瓷基板及高温焊料引入，改善长期高温度冲击循环的CTE失配。
应用领域：燃料电池DCDC、数据中心UPS、大功率快速充电桩等。
倾佳电子（Changer Tech）专业分销基本™（BASiC Semiconductor）国产车规级碳化硅(SiC)MOSFET，国产车规级AEC-Q101碳化硅(SiC)MOSFET，国产车规级PPAP碳化硅(SiC)MOSFET，全碳化硅MOSFET模块，Easy封装全碳化硅MOSFET模块，62mm封装全碳化硅MOSFET模块，Full SiC Module，SiC MOSFET模块适用于超级充电桩，V2G充电桩，高压柔性直流输电智能电网(HVDC)，空调热泵驱动，机车辅助电源，储能变流器PCS,光伏逆变器,超高频逆变焊机，超高频伺服驱动器，高速电机变频器等，光伏逆变器专用直流升压模块BOOST Module，储能PCS变流器ANPC三电平碳化硅MOSFET模块，光储碳化硅MOSFET。专业分销基本™（BASiC Semiconductor）SiC碳化硅MOSFET模块及分立器件，全力支持中国电力电子工业发展！
汽车级全碳化硅功率模块是BASiC基本™（BASiC Semiconductor）为新能源汽车主逆变器应用需求而研发推出的系列MOSFET功率模块产品，包括Pcore™6汽车级HPD模块、Pcore™2汽车级DCM模块、Pcore™1汽车级TPAK模块、Pcore™2汽车级ED3模块等，采用银烧结技术等BASiC基本™（BASiC Semiconductor）最新的碳化硅 MOSFET 设计生产工艺，综合性能达到国际先进水平，通过提升动力系统逆变器的转换效率，进而提高新能源汽车的能源效率和续航里程。主要产品规格有：BMS800R12HWC4_B02，BMS600R12HWC4_B01，BMS950R12HWC4_B02，BMS700R12HWC4_B01，BMS800R12HLWC4_B02，BMS600R12HLWC4_B01，BMS950R12HLWC4_B02，BMS700R12HLWC4_B01，BMF800R12FC4，BMF600R12FC4，BMF950R08FC4，BMF700R08FC4，BMZ200R12TC4，BMZ250R08TC4
倾佳电子（Changer Tech）专业分销BASiC基本™（BASiC Semiconductor）碳化硅(SiC)MOSFET专用双通道隔离驱动芯片BTD25350，原方带死区时间设置，副方带米勒钳位功能，为碳化硅功率器件SiC MOSFET驱动而优化。
BTD25350适用于以下碳化硅功率器件应用场景：
充电桩中后级LLC用SiC MOSFET 方案
光伏储能BUCK-BOOST中SiC MOSFET方案
高频APF，用两电平的三相全桥SiC MOSFET方案
空调压缩机三相全桥SiC MOSFET方案
OBC后级LLC中的SIC MOSFET方案
服务器交流侧图腾柱PFC高频臂GaN或者SiC方案
